提升10倍 Intel预告万亿晶体管芯片时代：FinFET将被淘汰

过去50多年来，提升汰半导体行业都深受摩尔定律的倍I被淘影响，这一黄金定律引领着芯片技术的预告进步，不过近年来摩尔定律也被认为落伍了，晶体作为铁杆捍卫者的管芯Intel现在站出来表示摩尔定律没死，2030年芯片密度就提升到1万亿晶体管，提升汰是倍I被淘目前的10倍。

在上周的预告Hotchips 2022会议上，Intel CEO基辛格做了主题演讲，晶体他提到先进封装技术将推动摩尔定律发展，管芯将发展出System on 提升汰Package，简称SOP，倍I被淘芯片制造厂提供的预告不再是单一的晶圆生产，而是晶体完整的系统级服务，包括晶圆生产、管芯先进封装及整合在一起的软件技术等。

根据基辛格所说，目前的芯片最多大概有1000亿晶体管，未来SOP技术发展之后，到2030年芯片的密度将提升到1万亿晶体管，是目前的10倍。

不过要想实现10倍的晶体管密度提升，还要有技术突破，目前在用的FinFET晶体管技术已经到了极限，Intel将会在2024年量产的20A工艺上放弃FinFET技术，转向RibbonFET及PowerVIA等下一代技术。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。